Dr Wenwei ZHENG
Dr Daniel SHI
Ms Sidar LAI
Dr B XIE
Dr CW CHAN
Dr KW HAU
Dr MJ XU
Mr SK YAU
Dr S XU
Dr HL WU
Mr PK CHEUNG
Mr SY LAO
Mr HF FU
Mr Jason JI
Mr WK LUK
Ms KW KO
矽通孔（TSV）是穿過薄矽壓模的垂直導電互聯。由於矽通孔（TSV）顯著減小互連長度，啟用矽通孔（TSV）的三維集成電路封裝能夠減少尺寸，降低功耗，並提高異構集成和電氣性能。因此，矽通孔（TSV）越來越多為許多三維封裝應用所採用，比如CMOS圖像傳感器(CIS)，微機電系統(MEMS)，快閃記憶體（NAND）和動態隨機存取記憶體（DRAM）。不過，TSV生產仍然是昂貴的。例如，矽通孔（TSV）常用的SiO2絕緣層需要許多昂貴的設備，通過多個制程，在比較高的溫度下得以加工。另一種方法是使用低成本的聚合物作為矽通孔（TSV）絕緣層。然而大多數TSV聚合物絕緣層由於使用物理粘合，在矽/聚合物界面，容易層間分裂。為了解決這個關鍵問題，我們提出了具有新穎引發劑配方，並基於接枝聚合物的TSV絕緣技術，以使在界面上實現比物理粘合更強的化學粘合。 基於接枝聚合物的TSV絕緣技術主要是針對TSV相關產品的市場。根據Yole市場報告預測, 該市場的規模發展迅速，預計2019年將超過140億美元.此項目旨在實現在Si襯底上接枝聚合物的粘結強度大於3.0牛頓/平方毫米。本項目的研究成果可通過授權引發劑和嫁接工藝的配方的方式使材料供應商受益與材料供應商的槓桿材料供應商受益, 並聯合供應商使TSV製造商（特別是香港本地公司）受益。
