適用於低溫鍵合的錫鉍微凸塊電鍍 (ART/367CP)

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摩爾定律的發展受到物理極限的制約，促使晶圓制造商將重點從追求更先進的納米制造工藝轉向開發創新的3D-IC封裝技術。 3D-IC市場正在迅速蓬勃發展中，預計2030年將達到520億美元。 本項目的目標是項目目標是開發新的電鍍方法，使用環保材料制造Sn-Bi合金微凸點，以實現在低於200°C的溫度下達到3D-IC的鍵合。 項目首先將建立穩定的電鍍配方和優化的工藝參數，以用於壹步或兩步電鍍制程，在矽片Cu微凸點上形成適當組成比例的Sn-Bi合金微凸點做為低溫焊料層。 項目中將應用物理分析和電化學技術，如XRD，XRF，拉曼光譜，LSV 等，以輔助建立穩定鍍液配方和優化工藝參數。關鍵事項包括快速篩選適用於共鍍的螯合劑以及評估添加劑配方的穩定功效。 隨後，采用所建立的壹步或兩步電鍍工藝進行在矽片Cu微凸點上形成Sn-Bi合金微凸點，並制成裸晶片。3D-IC在顓200°C下的鍵合將通過兩層裸晶片堆疊來進行示範。其粘合性能將通過JEDEC標準測試進行驗證。