适用於低温键合的锡鉍微凸块电镀 (ART/367CP)

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摩尔定律的发展受到物理极限的制约，促使晶圆制造商将重点从追求更先进的纳米制造工艺转向开发创新的3D-IC封装技术。 3D-IC市场正在迅速蓬勃发展中，预计2030年将达到520亿美元。 本项目的目标是项目目标是开发新的电镀方法，使用环保材料制造Sn-Bi合金微凸点，以实现在低於200°C的温度下达到3D-IC的键合。 项目首先将建立稳定的电镀配方和优化的工艺参数，以用於壹步或两步电镀制程，在硅片Cu微凸点上形成适当组成比例的Sn-Bi合金微凸点做為低温焊料层。 项目中将应用物理分析和电化学技术，如XRD，XRF，拉曼光谱，LSV 等，以辅助建立稳定镀液配方和优化工艺参数。关键事项包括快速筛选适用於共镀的螯合剂以及评估添加剂配方的稳定功效。 随后，采用所建立的壹步或两步电镀工艺进行在硅片Cu微凸点上形成Sn-Bi合金微凸点，并制成裸晶片。3D-IC在顓200°C下的键合将通过两层裸晶片堆叠来进行示范。其粘合性能将通过JEDEC标準测试进行验证。