低成本碳化矽襯底 (ART/401CP)

碳化矽功率元件被認定在汽車、能源等領域有廣泛應用前景。研究預計碳化矽市場規模將在2029年達到10.4億美元。 該提案旨在透過將高品質SiC薄膜和低成本SiC受體晶圓整合在一起，從而開發一種低成本SiC基板技術。該提案將建立一個包含離子注入、晶圓鍵結、高溫退火等關鍵製程的技術平台。基於此平台，將對上述過程進行整合和最佳化，以獲得高品質的鍵結基板。透過採用共注入方法，可提高薄層分離效率。表面活化鍵結方法可實現晶圓的導電性鍵結。鍵合前的預處理（包括拋光和清潔）將有助於優化鍵合效果。晶圓鍵結後將進行兩步驟退火過程。最後將獲得鍵合襯底。應用SEM、TEM、AFM等表徵方法來驗證實驗結果。低成本、高品質 SiC 鍵結襯底將在 1200 V 蕭特基勢壘二極體上進行驗證，並將與商用二極體進行性能比較。 SiC 鍵結襯底的成本將比傳統 SiC 基板低約 50%。該技術將推動SiC元件在產業升級的應用。