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矽通孔是 3D IC 和先進封裝技術的關鍵,預計到 2030 年全球市場價值將達到 220 億美元。矽通孔可以縮短訊號路徑並增強 IC 性能,因此矽通孔填充的品質對於可靠的三維互連至關重要。 本計畫會建立矽通孔的電鍍平台系統,並且開發直徑為3 微米,深寬比為10的矽通孔填充的製程和配方,並開發對應的電子設計自動化(EDA)示範程序,應用於廣泛幾何形狀的矽通孔填充製程模擬模擬。我們的方法包括建立原子層沉積製程的電鍍種子層、新的電化學篩選裝置和系統的計算模型。 計畫的預期成果包括應用於微米直徑、高深寬比矽通孔的製程、添加劑配方和EDA 示範程序。項目也包括與大學和工業界的合作。此先進技術的發展將促進3D IC和芯粒的工業化應用。