適用於RF應用的低電容ESD保護結構 (ART/221CP)

隨著無線通訊和網絡技術的不斷進步，系統的工作頻率和數據傳輸速率穩步提高，已經分別達到G赫茲（GHz）和G比特（Gbit）。與此同時，對可靠性的關心使得系統的ESD（Electrostatic Discharge) 和浪湧（surge）防護上升為一個重要課題。就射頻（RF）電路界面而言，ESD與電路的相互作用是一個主要技術挑戰。該專案目標是不僅研發芯片級（on-chip）低電容（low-c）結構滿足RF電路的ESD保護，而且研發出系統級（on-board）低電容結構滿足高速數據線的 ESD/surge 保護。 該專案所提出的虛擬工廠（virtual fab）方法將作為一個完整的ESD設計方法學的基礎。此專案將利用SYNOPSYS公司的TCAD （Technology Computer Aided Design ）作為仿真工具，通過工藝設計和器件參數優化，來構建低電容ESD結構。ESD 結構及相關的輸入輸出（IO）單元驗證將通過工藝流片來實現。經過驗證的低電容ESD 結構可以產生來滿足 on-chip ESD 保護或 on-board 高速數據線保護。 該專案是一個有關電子產品可靠性的設計，它不僅提供 on-chip ESD 保護，而且提供 on-board ESD/surge 解決方案。該專案的成功實現將使得電子產品，如手機，電腦等，變得更加可靠, 更加安全。