應用于驅動系統的高效能高可靠性大功率碳化矽模組及其開發平臺 (ART/341CP)

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本項目旨在開發一個應用於驅動系統的高效能高可靠性大功率碳化矽模組及其開發平臺,並協調上下遊行業合作夥伴/各方，以產生可以支持香港再工業化的第三代半導體生態系統。 應科院將構建SiC功率模塊和柵極驅動單元，關鍵技術包括：1）具有半橋短路保護功能的柵極驅動單元；2) SiC晶片與銅基板通過鋁包銅鍵合絲鍵合，端子銅排與銅基板直接進行銅對銅超聲波焊接，銅基板與AlSiC 基板集成工藝； 3) SiC晶片和銅基板之間的銀燒結工藝。通過上述技術，可以充分發揮SiC功率模塊的性能，尤其是對循環條件和半橋短路故障的可靠性。我們將為這款新開發的模塊進行可靠性測試，以驗證其性能。 可以預見的是，由於全球汽車電氣化，SiC功率模塊的需求將在幾年內遇到急劇增長。 由於目前SiC功率模組只能從美國、歐洲和日本進口，一旦出現供應不足甚至進口管制問題，將阻礙相關產品的發展，進而影響智慧城市的發展。因此，"香港製造 "的功率模塊正成為業界關注的焦點，以避免受到這些問題的限制。