應科院專注於寬頻隙半導體技術和新一代功率器件研究。碳化矽（SiC）器件是我們的研究重點。我們提供特製解決方案，包括器件設計(尤其是肖特基二極體和MOSFET)、工藝整合、晶圓製造和測試。
碳化矽器件將會取代傳統的矽功率器件。憑著碳化矽本身的低開關損耗、低電阻和卓越的高溫穩定性, 碳化矽基系統可實現低功耗、高功率密度和提升工作溫度極限。.
應科院已建立了多項專利技術, 旨在進一步改善碳化矽器件的性能和生產成本, 我們正積極把應科院技術推廣至業界, 推動香港創新科技產業。
應用
- 電動車
- 機械人
- 太陽能系統
- 緊急供電系統
- 電子通信系統
- 資料庫
- 消費者電子
