应科院专注于宽带隙半导体技术和新一代功率器件研究。碳化硅（SiC）器件是我们的研究重点。我们提供特制解决方案，包括器件设计(尤其是肖特基二极管和MOSFET)、工艺整合、晶圆制造和测试。
碳化硅器件将会取代传统的硅功率器件。凭着碳化硅本身的低开关损耗、低电阻和卓越的高温稳定性, 碳化硅基系统可实现低功耗、高功率密度和提升工作温度极限。
应科院已建立了多项专利技术, 旨在进一步改善碳化硅器件的性能和生产成本, 我们正积极把应科院技术推广至业界, 推动香港创新科技产业。
应用
- 电动车
- 机械人
- 太阳能系统
- 紧急供电系统
- 电子通信系统
- 数据库
- 消费者电子
