ESD设计与器件模型
ART/069CP
20090701 - 20110331
10400
邝国权先生
• A technical report to elaborate on the methodology for ESD simulation-design, including simulation strategy, algorithm, simulation method and calibration techniques.
• ESD protection hard IPs (structure and layout) for the specific process technologies (CSMC’s 200 V SOI and 0.35 um logic process )
• Compact models based on new protection structure developed from this technology
无鍚华润上科技有限公司 [赞助机构]
香港兴华半导体工业有限公司 [赞助机构]
ESD已经成为集成电路工业最重要的可靠性问题之一。片上ESD保护电路是IC免于ESD损伤的唯一途径。目前﹐ESD设计主要依靠反复试验法﹐这种方法很费时而且不能得到最佳的保护结构。因此﹐发展一种更好的ESD设计方法不仅是技术需要﹐也是市场的需要。这项专案目的是发展一种ESD仿真设计方法学以便解决ESD设计所面临的主要问题。本专案所发展的技术将提供以下叁种能力﹕1) 预测能力﹐即只需输入保护结构的版图﹐即可计算出该结构的ESD保护水平﹔2) 优化能力﹐即通过调整版图参数﹐可以使ESD保护能力得到最大﹔ 3) 设计能力﹐即针对特定的工艺﹐可以产生一个优化的保护电路。 该专案所提出的实验设计建模方法将作为一个完整的设计方法学的基础。此专案将利用SYNOPSYS公司的TCAD作为工具﹐利用经验模型来预测给定电路的I-V特性和抵抗ESD的水平。ESD仿真设计能力的发展填补ESD设计的技术空白﹐为集成电路的ESD保护提供明显的技术驱动