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应用于三维互连的微米直径高深宽比的硅通孔填充 (ART/393CP)

项目名称:
应用于三维互连的微米直径高深宽比的硅通孔填充 (ART/393CP)
项目编号:
ART/393CP
项目类型:
平台
项目推行期:
01 / 01 / 2025 - 30 / 06 / 2026
Funds Approved (HK$’000):
10,994.000
项目统筹人:
何宛真博士
副项目统筹人:
/
交付项目:
研究团队:
/
赞助:

华为技术投资有限公司
飞龙实业(香港)有限公司

描述:

硅通孔是 3D IC 和先进封装技术的关键,预计到 2030 年全球市场价值将达到 220 亿美元。硅通孔可以缩短信号路径并增强 IC 性能,因此硅通孔填充的质量对于可靠的三维互连至关重要。 该项目会建立硅通孔的电镀平台系统,并且开发直径为3 微米,深宽比为10的硅通孔填充的工艺和配方,并开发对应的电子设计自动化(EDA)演示程序,应用于广泛几何形状的硅通孔填充工艺模拟仿真。我们的方法包括建立原子层沉积工艺的电镀种子层、新的电化学筛选装置和系统的计算模型。 项目的预期成果包括应用于微米直径、高深宽比硅通孔的工艺、添加剂配方和EDA 演示程序。项目也包括与大学和工业界的合作。该先进技术的发展将促进3D IC和芯粒的工业化应用。

共同申请人:
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关键字:
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