以接枝聚合物作為硅通孔绝缘材料的技术开发 (ARD/169)

硅通孔（TSV）是穿过薄硅压模的垂直导电互联。由於硅通孔（TSV）显着减小互连长度，啟用硅通孔（TSV）的叁维集成电路封装能够减少尺寸，降低功耗，并提高异构集成和电气性能。因此，硅通孔（TSV）越来越多為许多叁维封装应用所採用，比如CMOS图像传感器(CIS)，微机电系统(MEMS)，快闪记忆体（NAND）和动态随机存取记忆体（DRAM）。不过，TSV生產仍然是昂贵的。例如，硅通孔（TSV）常用的SiO2绝缘层需要许多昂贵的设备，通过多个制程，在比较高的温度下得以加工。另一种方法是使用低成本的聚合物作為硅通孔（TSV）绝缘层。然而大多数TSV聚合物绝缘层由於使用物理粘合，在硅/聚合物界面，容易层间分裂。為了解决这个关键问题，我们提出了具有新颖引发剂配方，并基於接枝聚合物的TSV绝缘技术，以使在界面上实现比物理粘合更强的化学粘合。 基於接枝聚合物的TSV绝缘技术主要是针对TSV相关產品的市场。根据Yole市场报告预测, 该市场的规模发展迅速，预计2019年将超过140亿美元.此项目旨在实现在Si衬底上接枝聚合物的粘结强度大於3.0牛顿/平方毫米。本项目的研究成果可通过授权引发剂和嫁接工艺的配方的方式使材料供应商受益与材料供应商的槓桿材料供应商受益, 并联合供应商使TSV製造商（特别是香港本地公司）受益。