高性能存儲控制器平台

此研發項目將會開發先進的高性能存儲控制器平台。該平台包括用於NAND Flash的控制IP， 集成SATA接口控制的測試芯片以及一個基於FPGA的NAND Flash控制開發板和相應的固件。該平台將用於滿足市場對於高性能NAND Flash存儲應用的需求，尤其是大數據量存儲的PC市場應用。SSD固態硬盤由於具有輕薄、高存儲速率以及防震等優勢，被認為是取代傳統硬盤的替代技術。此項目研發的技術也將成為SSD的核心基礎技術。 此項目將會研發更為先進和健壯的多模式ECC糾錯模塊，用於解決MLC NAND Flash 的高誤碼的問題；該模塊採用可編程方法，提供靈活性設計，便於終端産品集成SLC或MLC NAND Flash，或是混和應用以兼顧成本優勢和穩定性設計。這將大大的推進具有成本優勢的MLC NAND Flash的市場應用。除了ECC糾錯模塊，該項目也將研發多通道訪問，磨損平衡等技術，用以提高數據吞吐量和增強基於NAND Flash存儲平臺的使用夀命。 該項目滿足ASTRI在高性能存儲控制平台和連接技術發展方向，將通過技術合作和技術轉移為業界提供高性能和低成本的解決方案。 該項目會有業界合作伙伴的加入和認可，這將幫助應科院研發適合産業需求的高質量的産品，更好的實現技術移轉。