低成本碳化硅衬底 (ART/401CP)

碳化硅功率器件被认為在汽车、能源等领域有广阔应用前景。研究预计碳化硅市场规模将在2029年达到10.4亿美元。 该提案旨在透过将高品质SiC薄膜和低成本SiC受体晶圆整合在一起，从而开发一种低成本SiC衬底技术。该提案将建立一个包含离子注入、晶圆键合、高温退火等关键製程的技术平台。基於此平台，将对上述製程进行整合和优化，以获得高品质的键结基板。透过採用共注入方法，可提高薄层分离效率。表面活化键合方法可实现晶圆的导电性键合。键合前的预处理（包括拋光和清洁）将有助於优化键合效果。晶圆键合后将进行两步骤退火製程。最后将获得键合衬底。应用SEM、TEM、AFM等表徵方法来验证实验结果。低成本、高品质 SiC 键合衬底将在 1200 V 萧特基势垒二极体上进行验证，并将与商用二极体进行性能比较。 SiC 键合衬底的成本将比传统 SiC 衬底低约 50%。该技术将推动SiC元件在產业升级上的应用。