• Deliverable 1
- GaN wafers with sapphire removed and replaced with a new metal substrate:
Wafer Size: Full Wafer (2-inch diameter)
Sapphire Removal Percentage: 100%
Wafer Number: 10 wafers
• Deliverable 2
- LED prototypes:
No. of packaged LEDs: 30
Chip Size: 1 mm x 1mm
Wall plug efficiency improvement: 15% (over flip-chip LEDs)
Drive Current: 350, 700, 1500 mA
Forward Voltage at 350 mA: < 3.7 V
Leakage Current at -5 V: < 5 uA
Reliability: light output power drop < 15% after 1000-hour operation at 350 mA at 50C
香港微晶先进封装技术有限公司
世纪晶源
香港城市大学
晶元光电股份有限公司
正越企业
中国砂轮企业股份有限公司
纳峰科技有限公司
国立交通大学
罗门哈斯电子材料公司
香港中文大学
香港科技大学
香港大学
捷斯奥企业有限公司
这个研究项目是开发一种新型的大功率GaN发光二极体。传统的镭射剥离方法对於大多数公司来说有专利的限制，因此这个项目的核心技术是从晶片上剥离蓝宝石，并且為大功率发光二极体晶片製造一种新型的金属衬底。 GaN发光二极体能够產生各种顏色的光：绿光（G）, 蓝光（B）, 紫光，紫外光和白光。目前GaN发光二极体是採用蓝宝石作為衬底。蓝宝石是绝缘体而且不具有良好的热传导性，从而限制了大功率发光二极体的发展。这个瓶颈可以在项目中通过採用一种新型的衬底材料得以解决。 我们将和香港的大学和工业界，以及广大的中华地区紧密合作。现在在中国大陆和香港都没有大规模生產大功率白色发光二极体的公司。这个项目中的技术将被转移到工业界来提升他们的技术水平，减低成本以及增加大功率发光二极体的產量。 儘管目前香港应用科技研究院的LED项目主要在发光二极体的封装和应用上有强大的实力，这个项目将会有助於在香港应用科技研究院建立一个强大的发光二极体晶片设计和製造团队，从而提高香港应用科技研究院的发光二极体研发的整体实力。
