SOI器件建模

此項目利用安捷倫公司的ICCAP軟件對0.13微米SOI工藝所生產的器件進行直流與射頻建模。器件覆蓋MOS管、二極管、三極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件。MOS管的模型提取涵蓋了襯底懸空（FB）器件，襯底單一接觸（T型）和襯底雙接觸（H型）器件。模型則包括溫度、噪聲及射頻模型。對於工藝波動還包括了corner模型。由小組開發的自動化版圖設計工具已產生近千個的測試圖形。模型通過了商用級QA工具軟件MQA的質量檢查。