用於固态照明大功率GaN发光二极体的蓝宝石剥离新方法

項目名稱:用於固态照明大功率GaN发光二极体的蓝宝石剥离新方法

項目參考:ART/029CP

項目類型:

項目期:20080201 - 20090930

資金批准 (HK$’000):13201

項目協調員:吴恩柏博士

Deputy Project Coordinator:

Deliverable:• Deliverable 1 - GaN wafers with sapphire removed and replaced with a new metal substrate: Wafer Size: Full Wafer (2-inch diameter) Sapphire Removal Percentage: 100% Wafer Number: 10 wafers • Deliverable 2 - LED prototypes: No. of packaged LEDs: 30 Chip Size: 1 mm x 1mm Wall plug efficiency improvement: 15% (over flip-chip LEDs) Drive Current: 350, 700, 1500 mA Forward Voltage at 350 mA: < 3.7 V Leakage Current at -5 V: < 5 uA Reliability: light output power drop < 15% after 1000-hour operation at 350 mA at 50C

Research Group:

Sponsor:香港微晶先进封装技术有限公司世纪晶源香港城市大学晶元光电股份有限公司正越企业中国砂轮企业股份有限公司纳峰科技有限公司国立交通大学罗门哈斯电子材料公司香港中文大学香港科技大学香港大学捷斯奥企业有限公司

Description:这个研究项目是开发一种新型的大功率GaN发光二极体。传统的镭射剥离方法对於大多数公司来说有专利的限制，因此这个项目的核心技术是从晶片上剥离蓝宝石，并且为大功率发光二极体晶片製造一种新型的金属衬底。 GaN发光二极体能够产生各种颜色的光：绿光（G）, 蓝光（B）, 紫光，紫外光和白光。目前GaN发光二极体是采用蓝宝石作为衬底。蓝宝石是绝缘体而且不具有良好的热传导性，从而限制了大功率发光二极体的发展。这个瓶颈可以在项目中通过采用一种新型的衬底材料得以解决。我们将和香港的大学和工业界，以及广大的中华地区紧密合作。现在在中国大陆和香港都没有大规模生产大功率白色发光二极体的公司。这个项目中的技术将被转移到工业界来提升他们的技术水平，减低成本以及增加大功率发光二极体的产量。儘管目前香港应用科技研究院的LED项目主要在发光二极体的封装和应用上有强大的实力，这个项目将会有助於在香港应用科技研究院建立一个强大的发光二极体晶片设计和製造团队，从而提高香港应用科技研究院的发光二极体研发的整体实力。

Co-Applicant:

Keywords: