適用於RF應用的低電容ESD保護結構 (ART/221CP)

適用於RF應用的低電容ESD保護結構 (ART/221CP)

  • 適用於RF應用的低電容ESD保護結構 (ART/221CP)
    ART/221CP
    平台
    21 / 02 / 2017 - 20 / 02 / 2019
    16,130

    嚴北平博士

    隨著無線通訊和網絡技術的不斷進步,系統的工作頻率和數據傳輸速率穩步提高,已經分別達到G赫茲(GHz)和G比特(Gbit)。與此同時,對可靠性的關心使得系統的ESD(Electrostatic Discharge) 和浪湧(surge)防護上升為一個重要課題。就射頻(RF)電路界面而言,ESD與電路的相互作用是一個主要技術挑戰。該專案目標是不僅研發芯片級(on-chip)低電容(low-c)結構滿足RF電路的ESD保護,而且研發出系統級(on-board)低電容結構滿足高速數據線的 ESD/surge 保護。 該專案所提出的虛擬工廠(virtual fab)方法將作為一個完整的ESD設計方法學的基礎。此專案將利用SYNOPSYS公司的TCAD (Technology Computer Aided Design )作為仿真工具,通過工藝設計和器件參數優化,來構建低電容ESD結構。ESD 結構及相關的輸入輸出(IO)單元驗證將通過工藝流片來實現。經過驗證的低電容ESD 結構可以產生來滿足 on-chip ESD 保護或 on-board 高速數據線保護。 該專案是一個有關電子產品可靠性的設計,它不僅提供 on-chip ESD 保護,而且提供 on-board ESD/surge 解決方案。該專案的成功實現將使得電子產品,如手機,電腦等,變得更加可靠, 更加安全。