SOI器件建模

此项目利用安捷伦公司的ICCAP软件对0.13微米SOI工艺所生产的器件进行直流与射频建模。器件覆盖MOS管、二极管、三极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件。MOS管的模型提取涵盖了衬底悬空（FB）器件，衬底单一接触（T型）和衬底双接触（H型）器件。模型则包括温度、噪声及射频模型。对于工艺波动还包括了corner模型。由小组开发的自动化版图设计工具已产生近千个的测试图形。模型通过了商用级QA工具软件MQA的质量检查。