先进硅工艺中的片上静电防护设计与建模

先进硅工艺中的片上静电防护设计与建模

  • 整体静电防护方案可为多个技术节点中的集成电路提供有效的静电防护。所用保护器件以基于TCAD的器件与工艺仿真进行设计与验证。这些器件可应用在IO的静电防护电路和电源钳制电路中。所开发的静电保护方案能提供高达8000V的人体放电模型(HBM)保护,除去电源闩锁效应。提供静电防护器件的集约模型可与核心电路一起进行快速高效的静电防护仿真。

    • 0.5 um 200V SOI BCD 工艺完整解决方案 (HBM 2000V)
    • 0.35 um CMOS工艺完整解决方案(HBM 4000V)
    • 0.13 um CMOS工艺完整解决方案(HBM 2000V)
    • 65 nm CMOS工艺完整解决方案(HBM 2000V)
    • 55 nm CMOS工艺完整解决方案(HBM 8000V)
    • 40 nm CMOS工艺完整解决方案(HBM 2000V)
    • 16 nm CMOS工艺完整解决方案(HBM 2000V) (on-going)