適用於RF应用的低电容ESD保护结构 (ART/221CP)

適用於RF应用的低电容ESD保护结构 (ART/221CP)

  • 適用於RF应用的低电容ESD保护结构 (ART/221CP)
    ART/221CP
    平台
    21 / 02 / 2017 - 20 / 02 / 2019
    16,130

    严北平博士

    隨著无线通讯和网络技术的不断进步,系统的工作频率和数据传输速率稳步提高,已经分別达到G赫兹(GHz)和G比特(Gbit)。与此同时,对可靠性的关心使得系统的ESD(Electrostatic Discharge) 和浪涌(surge)防护上升为一个重要课题。就射频(RF)电路界面而言,ESD与电路的相互作用是一个主要技术挑战。该专案目標是不仅研发芯片级(on-chip)低电容(low-c)结构满足RF电路的ESD保护,而且研发出系统级(on-board)低电容结构满足高速数据线的 ESD/surge 保护。 该专案所提出的虚擬工厂(virtual fab)方法將作为一个完整的ESD设计方法学的基础。此专案將利用SYNOPSYS公司的TCAD (Technology Computer Aided Design )作为仿真工具,通过工艺设计和器件参数优化,来构建低电容ESD结构。ESD 结构及相关的输入输出(IO)单元验证將通过工艺流片来实现。经过验证的低电容ESD 结构可以產生来满足 on-chip ESD 保护或 on-board 高速数据线保护。 该专案是一个有关电子產品可靠性的设计,它不仅提供 on-chip ESD 保护,而且提供 on-board ESD/surge 解决方案。该专案的成功实现將使得电子產品,如手机,电脑等,变得更加可靠, 更加安全。